구속 기소된 ‘메모리 달인’ 어떻게 기술 빼돌렸나

삼성전자·하이닉스 임원 출신
중국 청두시와 합작 공장 설립
국내 전문가 수십명 이직시켜
삼성 고유 공정 통째로 복제
단기간에 시범 웨이퍼 생산

삼성전자 전직 임원과 연구원이 삼성전자의 핵심 반도체 기술을 중국으로 빼돌린 혐의로 구속 기소됐다. 이들은 중국 지방정부와 합작으로 현지에 반도체 생산회사를 설립하고 삼성전자 인력도 유치한 것으로 나타났다. 이들이 빼돌린 기술은 삼성전자가 약 2조원을 투자해 개발한 것이었다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스)의 임원을 지낸 최모씨(66)와 전 삼성전자 수석연구원 오모씨(60)를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 10일 구속 송치했다고 밝혔다.

최씨는 ‘메모리 달인’이라는 별명으로 불릴 정도로 국내 반도체 업계 권위자였다. 그는 2020년 9월 중국 쓰촨성 청두시와 합작해 반도체 제조업체 A사를 설립했다. 청두시가 자본을 출자하고 최씨가 기술·인력을 제공해 반도체를 제조하는 방식이었다. 청두시와 최씨는 A사의 지분을 나눠 가졌다. 최씨는 국내 반도체 전문인력을 대거 이직시켜 삼성전자의 반도체 핵심기술을 부정 사용한 것으로 조사됐다.

오씨는 삼성전자 메모리 부문의 수석연구원 출신으로 알려졌다. 오씨는 핵심기술 유출부터 A사의 공정설계까지 핵심적인 역할을 한 것으로 확인됐다.

경찰 조사에 따르면 최씨는 삼성전자의 20나노급 D램 반도체를 만들기 위해 600여단계의 공정에 관한 핵심 자료를 유출해 무단사용하고 국내 반도체 전문가들을 A사로 영입했다. 반도체 전문가 1~2명을 빼가는 수준을 넘어 사실상 공정 자체를 통째로 복제해 구현해내는 식이었다. A사는 2021년 1월부터 공장 건설에 착수해 1년3개월여 만인 2022년 4월부터 실제 반도체로서 기능이 가능한지 평가할 수 있는 시범 웨이퍼를 생산할 수 있게 됐다.

삼성전자는 A사가 부정 사용한 20나노급 D램 반도체 생산 공정을 2014년에 개발했다. 이 공정에 활용되는 PRP(반도체 공정 종합 절차서)와 MTS(최종 목표규격)는 삼성전자의 ‘핵심기술’로 불리며 국가핵심기술로 지정돼 있다. 삼성전자는 해당 공정을 개발하는 데 약 2조원 및 1000명 이상의 연구원, 해당 공정의 상위기술인 18나노급 D램 생산 공정 개발에는 2조3000억원을 투자했다. 삼성전자는 해당 기술로 매년 2조4000억원의 매출을 내고 있는 것으로 알려졌다. 경찰은 추가 기술 유출로 2차피해가 발생하고 있는지 여부도 함께 모니터링하고 있다.

경찰은 대가를 약속받고 A사로 이직한 임직원 30여명도 기술을 유출한 혐의 등으로 추가 입건해 수사하고 있다. 다만 A사는 이직한 기술인력들을 2~3년간 고용한 후 장기휴직 처리하는 등 사실상 해고하고 이직 시 제안한 혜택들을 철회한 것으로 알려졌다. 통상적으로 기술 유출을 전제로 이직을 제안하는 경우 국내 회사에서 받는 연봉의 6배, 현지 주거비를 포함한 생활비와 자녀들의 교육비 지원까지 조건을 제공하는 것으로 알려졌다.

경찰은 “반도체 산업을 두고 세계 각국의 치열한 경쟁이 있는 상황에서 국가경쟁력 약화를 초래하는 등 경제안보의 근간을 뒤흔든 사안”이라고 밝혔다.

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